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Thermodynamische analyse van epitaxiale laaggroeiprocessen

Rahman Bakhyshov
Autor: Bakhyshov, Rahman
EAN: 9786202588997
Sprache: Flämisch
Seitenzahl: 64
Produktart: kartoniert, broschiert
Verlag: Uitgeverij Onze Kennis
Untertitel: halfgeleiderverbinding van Ga2Se3 via open pijpmethode in gastransportsysteem Ga-Se-Cl-H
Schlagworte: Ga2Se3 epitaxiale laag Fysica Ga2Se3 verbindingen Thermodynamische Analyse
Größe: 150 × 220